Spansion近日日宣布推出读取速度达66MB/s的65nm FL-S NOR闪存系列，存储密度为128Mb至1Gb。“与目前市场上的同类竞争方案相比，FL-S系列的DDR读取速度提高了20%，编程速度快了3倍，擦除速度快了5倍。因此可以说是全球最快的串行闪存。”Spansion战略及产品营销副总裁Robert France强调。
 

图1 Spansion FL-S系列与竞争产品在生产吞吐量方面的比较（Spansion提供）


　　FL-S系列在数据安全方面有4种保护方法：通过BPx位的块写保护可实现临时或永久保护；通过1kB一次性可编程（OTP）区域保护客户IP，128位唯一ID；永久扇区锁；以持久保护、密码保护和读取密码保护模式，实现独立高级扇区保护（ASP）。

　　FL-S系列的其他特性有，Vio范围在1.65V-3.6V，Vcc范围在2.7V-3.6V；通用闪存接口（CFI）数据配置；128Mb采用3字节输入，256Mb及更高密度采用扩展32位（4字节）输入；工业和汽车内温度范围在-40℃至+85℃/+105℃，在某些应用领域可代替DRAM。

　　另外，提供定制的软件驱动系统及闪存文件系统软件Spansion FFS，后者可自动管理读写、擦除闪存等操作，为并行及串行NOR闪存提供提供快速读写能力。

　　封装方面，采用16引脚SO封装（300mil），8引脚SO封装（128Mb预计尺寸208mil），6x8mm的8引脚WSON封装（128Mb及256Mb），6x8mm的24球BGA封装。

　　FL-S系列可应用于实时3D显示仪表盘和车载娱乐系统等汽车电子、数字电视和机顶盒等消费电子、智能电表、WiMax系统。