应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的有源时钟产生器集成电路(IC)，管理时钟源的电磁干扰(EMI)及射频干扰(RFI)，为所有依赖于时钟的信号提供降低全系统级的EMI。　　

　　新的P3MS650100H及P3MS650103H 低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS) 降低峰值EMI时钟产生器非常适合用于空间受限的应用，如便携电池供电设备，包括手机及平板电脑。这些便携设备的EMI/RFI可能是一项重要挑战，而符合相关规范是先决条件。这些通用新器件采用小型4引脚WDFN封装，尺寸仅为1 mm x 1.2 mm x 0.8 mm。这些扩频型时钟产生器提供业界最小的独立式有源方案，以在时钟源和源自时钟源的下行时钟及数据信号处降低EMI/RFI。

　　P3MS650100H及P3MS650103H支持的输入电压范围为1.8伏(V)至3.3 V，典型偏差为0.45%至1.4%，在时钟源降低EMI/RFI的频率范围在15兆赫兹(MHz)至60 MHz。工作温度范围为-20 ºC至85 ºC。

　　安森美半导体定制工业及时序产品副总裁Ryan Cameron说：“需要符合EMI规范同时控制成本及把印制电路板(PCB)占用面积减至最小，是移动应用的重要挑战。我们新的降低EMI IC克服这些挑战，提供在时钟源及源自时钟源的下行时钟及数据信号处降低EMI/RFI的高性价比方案。设计工程师在设计周期及早采用这些器件，可无须其他方案及加入成本不菲的额外PCB层或屏蔽来处理EMI/RFI问题。”

　　安森美半导体计划在2012年第1季度推出这系列更多针对不同频率范围及派生版本的IC。