日本的SiC相关业务目前正在迅速增长。SiC与现有的硅（Si）相比可大幅削减电力损耗，因此作为新一代功率半导体材料备受关注。但此前，SiC功率元件在成本和特性方面还存在一些问题，因此只在部分用途得到了采用。为改善这种状况，以日本企业为中心，扩大SiC相关业务的动向日益活跃。

　　其中比较积极的是罗姆公司。该公司是首家投产SiC肖特基势垒二极管（SBD）和SiC MOSFET的日本企业。而且，罗姆还宣布从2012年3月开始“全球首次量产”晶体管和二极管都采用SiC的“全SiC”功率模块（以下简称全SiC模块）（图1）。

　　图1：开始量产全SiC功率模块

　　配备SiC SBD和SiC MOSFET的全SiC功率模块的额定电压为1200V，额定电流为100A。（摄影：（a）罗姆）

　　在二极管中采用SiC的产品此前就有，但连晶体管也采用SiC的模块此次还是首次实现产品化。罗姆介绍说，之所以能率先量产全SiC模块，“主要是因为已经投产了SiC MOSFET”。截至2012年3月，销售SiC MOSFET的企业只有美国的科锐和日本的罗姆。

　　罗姆的全SiC模块通过在二极管和晶体管两种元件中采用SiC，大幅削减了电力损耗。与采用硅IGBT的功率模块相比，可将开关损耗减小85％。

　　此外，还可实现100kHz以上的高速开关，开关频率是硅IGBT模块的10多倍。

　　目前，罗姆量产的全SiC模块只有额定电压为1200V、额定电流为100A的一款产品。据罗姆介绍，虽然额定电流只有100A，但由于实现了高速开关和低损耗，可以替换额定电流为200～400A的硅IGBT模块。替换400A级的硅IGBT模块时，估计体积能削减约50％。

　　罗姆介绍说，全SiC模块的价格目前还很高，是硅IGBT模块的“3～5倍” ，但计划在数年内将价格降至硅IGBT模块的2倍左右。