快捷半导体扩大PowerTrench® MOSFET系列产品阵容

　　提供更高的功率密度与提升开关电源的效率

　　中电压MOSFET元件采用高性能矽片减低优化系数，提高同步整流应用的可靠性

　　提升功率密度和轻负载效率是伺服器、电讯和AC-DC电源设计人员的主要考虑。此外，这些开关电源（SMPS）设计中的同步整流需要具有高成本效益的电源解决方案，以便能尽量缩小电路板空间，同时提高效率和降低功耗。有鉴于此，快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor）扩大PowerTrench® MOSFET产品阵容，协助设计人员应付电源设计的挑战。

　　这些属于中电压MOSFET产品系列的成员，是结合低闸极电荷（QG）、低反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复寄生二极体的最佳化功率开关产品，可以达成快速开关。这些元件备有40V、60V和80V额定电压型款，由于采用最佳化的软反向恢复寄生二极体，减少了缓冲器电路所需的功耗。而与其它解决方案相比，可以减少电压突波多达15%。

　　这些元件采用具有电荷平衡功能的遮罩闸极（shielded-gate）结构，从而达到较高功率密度、低振铃杂讯（ringing）和更佳轻负载效率。经由使用这项技术，新元件系列可取得较低的优化系数FOM （QG x RDS（ON）），同时降低驱动损耗以提高电源效率。

　　这一系列的第一批元件包括采用Power56封装的40V FDMS015N04B和80V FDMS039N08B元件，以及采用TO-220 3接脚封装的60V FDP020N06B和80V FDP027N08B元件。

　　特性和优势

　　? 较小封装尺寸（Power56和TO-220 3接脚封装），在同一系统尺寸内具有最大的散热性能

　　? 较低的QG以降低闸极驱动损耗

　　? 低QGD/QGS比，防止意外导通，提高系统可靠性

　　? 低动态寄生电容，减少高频率应用的闸极驱动损耗

　　? 100% UIL测试

　　? 满足RoHS要求

　　新增的PowerTrench MOSFET元件扩充了快捷半导体中电压范围MOSFET产品的阵容，是广泛的PowerTrench MOSFET产品系列的一部分。这些元件能够满足现今电子产品的电气和散热性能要求，在提高能源效率方面扮演着重要的角色。