松下元器件公司发布了散热特性较该公司原产品提高28％的肖特基势垒二极管（SBD）“DB2P系列”（图1）。可用于智能手机、平板终端和笔记本电脑机身电源电路部分。预定从2012年12月开始量产，月产量为300万个。

　　                                     图1

　　一般来说，元器件的封装尺寸和散热特性存在此消彼长的关系。小型封装品虽然可以提高部件的安装密度，但因面积变小散热特性就会变差，因此必须采用降低部件安装密度等的散热设计。而拥有高散热特性的产品虽然可高密度安装，但为保持高散热特性，就需要扩大封装尺寸。因此，最终无论哪种情况都存在部件安装面积要增大的课题。

　　此次的开发品通过采用改进了引线封装（Lead package）形状的封装“PMCP（power mount CSP）”，在提高散热性的同时实现了小型化（图2）。据称，通过优化了向电路基板的散热量和向空气中的散热量，兼顾了小型化和散热性。新产品“DB2P40100L”在使散热特性提高28％的同时，使体积较该公司原产品“DB2J41100L”缩小了39％，并将厚度减薄53％（图3）。散热特性方面，开发品的接合温度为147℃（电流：1A，外部气温：25℃时），而原产品为203℃。外形尺寸为1.6mm×1.2mm×0.33mm。

　　DB2P40100L的正向电压（VF）低至0.39V（最大值，1A时）也是特点之一。二极管在电压逐渐上升并超过VF时，开始流过正向电流（IF）。因此，VF以下的电压就损失掉了。通过降低VF，电源就能以低损失电压向产品供电。

　　此次的开发品与该公司原产品相比VF降低了33％。据称，是以150nm工艺规则的加工技术形成JBS构造而实现的。JBS构造是指，在金属与半导体的接合部——肖特基结区域，以相等间隔形成微细的P型半导体，从而抑制肖特基结部产生的逆向漏电流的构造。



                                                             图2





                                                              图3