东芝于日前扩充了耐压（漏源间电压）为-12V的p通道MOSFET的产品线。此次推出的新产品是采用封装面积为2.0mm×2.0mm的SOT-1220（UDFN6B）封装的“SSM6J505NU”，以及采用封装面积为1.6mm×1.6mm的SOT-563（ES6）封装的“SSM6J216FE”。新产品的特点是都支持大电流，SOT-1220封装产品的最大漏电流为－12A，SOT-563封装产品为－4.8A。据东芝介绍，此次推出新产品的背景是，“随着便携式电子产品的高功能化，电池容量不断增加，同时充电电流也趋于增大”。新产品主要用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机和数码摄像机等的充电开关和功率管理开关。

　　SOT-1220封装产品的导通电阻在栅源极间电压为-4.5V时为9mΩ（标称值），在-2.5V时为11mΩ（标称值），在-1.2V时为18mΩ（标称值）。栅极电荷量为37.6nC（标称值）。输入容量为2700pF（标称值）。反馈电容为800pF（标称值）。输出容量为800pF（标称值）。

　　SOT-563封装产品的导通电阻在栅源极间电压为-4.5V时为26.0mΩ（标称值），在-2.5V时为31.5mΩ（标称值），在-1.5V时为49.0mΩ（标称值）。栅极电荷量为12.7nC（标称值）。输入容量为1040pF（标称值）。反馈电容为180pF（标称值）。输出容量为200pF（标称值）。