这款基于瑞萨独有的SOTB™制程工艺的能量收集嵌入式控制器产品获得年度微控制器产品奖。

　　2019 年 11 月 14 日，中国深圳讯 – 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布，基于瑞萨独有的SOTB™（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋层覆硅）制程工艺的能量收集嵌入式微控制器（MCU）RE荣获由全球电子技术领域知名媒体集团Aspencore评选出的2019年度MCU产品奖。该奖项此次共收到来自行业内知名半导体供应商的100多款候选产品，通过Aspencore编辑的评估，挑选出10多款产品入围，最终RE脱颖而出，获得该产品奖。

　　瑞萨能量收集芯片RE采用了革命性SOTB制程工艺，该技术可帮助用户同时实现低工作电流和待机电流，以及低压下高速运行。瑞萨电子于10月31日正式发布的RE家族首个产品组RE01的32位CPU内核使用户能够在环境能量场中（例如光、振动或液体流动），为仅需微量能量的设备提供动力，从而实现智能功能。SOTB嵌入式控制器在生物监测器或室外环境传感应用中，可从信号数据中排除噪声，使应用程序执行高精度传感和数据判断。因为免除了大量应用中对电池维护的需求，为现实生活中实现万物互联提供了直接的帮助。如需了解有关瑞萨电子基于SOTB的RE产品家族更多信息，请访问此处。

　　瑞萨电子株式会社高级副总裁，瑞萨电子中国董事长真冈朋光表示：“RE可以获得此次年度MCU类产品奖，我们感到非常自豪。基于SOTB制程工艺的超低功耗功能非常适合用于物联网领域。通过环境能源发电、以及传感器与无线器件的组合，RE将为多种多样的面向物联网领域的应用开发做出贡献。”

　　全球电子成就奖（WEAA）旨在表彰在全球电子工业创新和发展方面做出杰出贡献的公司和个人。