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三星成功开发新型硅通孔(TSV)8 层技术的DDR5芯片
发布时间:2020-02-16
浏览次数:839 次

  随着现代计算机能力的不断发展,推动着存储器件朝着更高性能的方向发展。DDR5作为DDR4的后继者,能支持更快的传输速率和更高的容量。近日,三星电子宣布成功开发DDR5芯片,可提供更强大、更可靠的性能,支持现代服务器不断增长的需求。

  三星DDR5芯片采用新型的硅通孔(TSV) 8 层技术,与DDR4相比,该技术使得DDR5的单个芯片能够包含两倍的堆栈数量。每个双列直插式存储模块(DIMM)还提供高达512GB的存储空间。其数据传输速度高达4800 MT/s,专门用于处理繁重的工作负载。此外,三星DDR5还具有纠错码(ECC)电路,提高产品可靠性。

  虽然,各大内存厂商纷纷推出了DDR5存储产品,但是真正要实现DDR5的普及平台的支持才是最大的问题。但是,目前还没有正式支持DDR5内存的平台,AMD预计会在2021年的Zen4处理器上更换插槽,支持DDR5内存,而Intel这边14nm及10nm处理器都没有明确过DDR5内存支持,官方路线图显示2021年的7nm工艺Sapphire Rapids处理器才会上DDR5,而且是首发服务器产品,消费级的估计还要再等等。

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