该产品主要针对商用EMC测试IEC 61000-4-3 标准（覆盖频率范围为80MHz至1GHz）。据悉，新产品放大器采用了第三代宽带隙GaN晶体管技术，与现有的来自IFI、TESEQ、AR、 PRANA和BONN的放大器相比，新产品的技术具有领先性，在同一封装内，功率可比上一代Si LDMOS、GaAs技术高10～20倍，可靠性提高20倍，寿命达到100万小时；放大器具有250W、400W和750W 三种不同的P1dB输出功率，可用在3U、7U和15U机箱中；放大器c.XJR2~0设计采用了出色可靠的CSA拓扑结构，支持从250W到750W 的轻松升级，具有可扩展、便于功率和频率升级等特点。