SN2013B有以下显著特点:

1.采用强劲输出的高效率升压结构，即使电池电压下降，也能连续提供恒定2W的超大功率输出, 是传统ClassD功放在3.8V情况下的两倍输出。

2.采用超高效率Boost结构电路，整体工作效率达到80%以上，播放时间更持久, 很好地解决了功放大功率输出时芯片容易发热问题， 而采用Charge Pump结构升压的产品只有50%的低效率, 芯片很容易发烫，容易带来安全隐患。

3. 平均耗电更小, 比采用Charge Pump结构产品要小, 手机使用时间更长。

4. 优秀的POP-Clip抑制特性, 内置过温保护，短路保护。

5. 纤薄QFN16 (4mm x4mm)封装。.

SN2013B的工作电压范围是2.7V-5.5V, 工作温度范围为–40℃到+85℃, 可广泛地应用在手机, MP4/PMP, 数码相框，小音箱等设备上面。SN2013B已经量产，可以开始批量供货。