宜普电源转换公司宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN) FET。

　　EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅极电压为5V。EPC2015是一种40 VDS器件，RDS(ON) 最大值是4mΩ。与同样先进的硅基功率MOSFET相比，这两种eGaN FET都具有更卓越的性能优势。两种器件都具有低导通电阻，体积比相同电阻的硅器件更小，并且具有卓越许多倍的开关性能。

　　受益于eGaN FET性能提高的应用包括直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器、笔记本电脑和上网本电脑、LED驱动电路和电信基站。

　　“环境保护是宜普公司发展业务的首要考虑因素，也是我们提供无铅、符合RoHS要求的eGaN FET的推动力。EPC2001和EPC2015是宜普公司推出的第一批无铅且符合RoHS要求的eGaN FET，我们计划在今后4个月内让全部eGaN FET无铅化，并符合RoHS要求。”宜普公司合伙创始人、首席执行官Alex Lidow表示。